Ce Doping Concentration on Luminescence Property of YVO4:Ce3+ Crystals

Ce 3+ 晶体发光性能的影响 杨广武 1,2 , 杨瑞霞 1,3 , 张守超 2 , 朱 飞 2 (1.河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300401; 2. 天津城建大学 理学院, 天津 300384; 3. 天津市电子材料与 器件重点实验室, 天津 300401) 摘 要: 利用提拉法生长了掺杂浓度为 1.0at%~10.0at%的YVO 4 :Ce 3+ 单晶, XRD 分析显示 Ce 3+ 的掺入没有改变晶体结构。 晶体的激发和发射谱测试表明, 在 325 nm 激发下 YVO 4 :Ce 3+ 发射出峰值在 445 nm 的蓝光和 620 nm 附近的红光。 蓝光发光 强度随 Ce 3+ 浓度增加而增强, 当浓度为 8.0at%时达到最强, 10.0at%时出现浓度淬灭, 发光减弱; 红光则随着 Ce 3+ 浓度的增 加而持续增强辐射跃迁等过程, 可以实现波长在 620 nm 附近的红光发射以及在 620 nm 激发下的 451 nm 蓝光上转换发光。实验证实了