In掺杂β-Zn4Sb 3 热电材料的制备与电热输运
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Abstract
设计了一系列名义组成为Zn 4 Sb 3- x In x (0~0.08, ?x=0.02)的In掺杂β-Zn 4 Sb 3 基块体材料, 并用真空熔融-随炉冷却-放电等离子体烧结工艺成功制备出无裂纹的In掺杂单相β--Zn 4 Sb 3 基块体材料. 300~700 K内材料的电热输运特性表明, In杂质对Zn 4 Sb 3 化合物的Sb位掺杂可导致载流子浓度和电导率大幅度增大、高温下本征激发几乎消失和晶格热导率显著降低, x =0.04和0.08的Zn 4 Sb 3- x In x 的In掺杂beta-Zn 4 Sb 3 化合物700K时晶格热导率均仅为0.21 W/(m·K). 与纯β-Zn 4 Sb 3 块体材料相比, 所有In掺杂β-Zn 4 Sb 3 基块体材料的ZT值均显著增大, x =0.06的Zn 4 Sb 3- x In x 的In掺杂β-Zn 4 Sb 3 基块体材料700K时 ZT 值达到1.13, 提高了69%.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Thermal Expansion and Ionic Conductivity · Advanced Thermoelectric Materials and Devices · Semiconductor materials and interfaces
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
References
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