Phonon Mode and Electron-phonon Coupling Strengths Controlling the Fluorescence Efficiency of Dy³⁺-doped Selenide Glasses

用熔融-淬冷法制备了无稀土掺杂与Dy^3＋（0.04mol%）掺杂Ge（30）Ga5Se（65）和0.9Ge（30）Ga5Se（65）＋0.1CsBr玻璃样品.采用Judd-Ofelt理论计算了0.9Ge（30）Ga5Se（65）＋0.1CsBr玻璃样品中Dy^3＋跃迁的强度系数、自发辐射几率与荧光分支比.为了研究多声子弛豫（MPR）随温度的变化,测试了Dy^3＋的^6H（11/2）能级在20～300K温度范围内的荧光寿命,分析了Ge（30）Ga5Se（65）玻璃中声子模式与电子-声子结合强度对Dy^3＋1.72μm处荧光强度和效率的影响.在硒化物玻璃中引入CsBr使玻璃中形成了Ga-Br键,有效声子能量降低到268cm^-1.通过计算得到Ge（30）Ga5Se（65）与0.9Ge（30）Ga5Se（65）＋0.1CsBr样品的电子-声子结合强度分别为0.456与0.048.CsBr的引入降低了电子-声子结合强度.声子模式与电子-声子结合强度的改变决定了MPR的变化.