平面Si/PCBM与纳米Si/PCBM有机-无机杂化异质结的对比研究
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Abstract
本研究采用平面硅与纳米硅分别与旋涂法生长的[6,6]-苯基C61-丁酸甲酯(PCBM)形成有机–无机杂化异质结,对比研究了两种异质结界面电学特性的差异。结果显示, 平面Si/PCBM和纳米Si/PCBM两种异质结都表现出明显的整流特性, 但相对于平面Si/PCBM异质结, 纳米Si/PCBM异质结有较大的导通电压和较小的电流密度。为了深入研究导致这种差异的相关物理机制, 通过阻抗谱(IS)表征技术进一步研究了两种异质结因界面变化而产生的电阻、电容的变化趋势。阻抗测试分析表明, Si/PCBM异质结界面存在的大量缺陷致使寄生效应进一步增大, 影响了器件中电荷的输运
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and interfaces · Semiconductor materials and devices · Silicon Nanostructures and Photoluminescence
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
References
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