Congruent Growth of Cu$lt;inf$gt;2$lt;/inf$gt;Se Thermoelectric Thin Films Enabled by Using High Ablation Fluence During Pulsed Laser Deposition
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Abstract
本工作提出了脉冲激光沉积法生长Cu 2 Se 热电材料薄膜中维持较高的激光切削能量密度对于实现薄膜与靶材成分等比例传输的重要性。使用较高的脉冲激光能量生长的Cu 2 Se薄膜具有纯的alpha-相, 并具有与靶材相近的化学组分。这主要是因为较高的激光能量可以更加有效地引起等离子体对激光-固体直接作用的屏蔽, 这可以使得靶材中的铜和硒元素的激光切削量更加接近靶材的化学计量比。由于硒具有较高的蒸汽压, 降低激光能量会加强激光与固体的直接作用, 从而更有效地切削硒元素, 导致所沉积薄膜中产生铜缺陷。进一步讨论了所使用的氩气背景气体压力对于所生长的Cu 2 Se薄膜热电性能的影响。当使用高激光能量低背景气体压力时, 所生长的薄膜具有最佳的热电性能。
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Advanced Thermodynamics and Statistical Mechanics · Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Advanced Semiconductor Detectors and Materials
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
References
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