New Strategy for the Growth of Complex Heterostructures Based on Different 2D Materials
Source abstract
Abstract
Tungsten disulfide (WS 2 ) monolayers have been synthesized under ultra high vacuum (UHV) conditions on quasi-free-standing hexagonal boron nitride (h-BN) and gold deposited on Ni(111). We find that the synthesis temperature control can be used to tune the WS 2 structure. As documented by in situ core level and valence band photoemission and by ex situ Raman spectroscopy, the partially disordered WS 2 layer obtained at room temperature transforms to the 2H-WS 2 phase at about 400 °C. Low energy electron diffraction confirms the existence of van der Waals epitaxy between WS 2 and h-BN and gold substrates. The measured band structure indicates that the WS 2 electronic structure is not affected by the interaction with the h-BN and gold substrates.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Graphene research and applications · MXene and MAX Phase Materials
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Department of Chemical Sciences, University of Padova, via Marzolo 1, Padova 35131, Italy
Department of Materials Science and Engineering and Center for 2-Dimensional and Layered Materials, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, United States
CNR-IOM, TASC Laboratory, AREA Science Park Basovizza, 34149 Trieste, Italy
International Centre for Theoretical Physics, Strada Costiera 11, 34100 Trieste, Italy
Funding
Ministero dell'Istruzione, dell'Università e della Ricerca · Università degli Studi di Padova
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