Ti5Si3 Nanowire and Its Field Emission Property
Source abstract
Abstract
Ti5Si3 nanowires (diameter, 20–50 nm; length, several micrometers) on C54-TiSi2 thin films are prepared through a unique chemical vapor deposition process. They show excellent field emission properties, a low turn-on field E0 of 5.4 V/µm, and a high field enhancement factor β of 816.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Nanowire Synthesis and Applications · Semiconductor materials and interfaces · Semiconductor materials and devices
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Department of Applied Chemistry, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan 30050, R.O.C., Department of Materials Science and Engineering and Center for Nanotechnology, Materials Science, and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan 30043, R.O.C., and Department of Physics, Tamkang University, Taipei, Taiwan 25137, R.O.C.
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